TWSE · 레거시 DRAM · DDR4 공급부족 수혜

난야테크

대만 DRAM 기업. HBM은 안 만들고 DDR4·LPDDR4 등 레거시 DRAM이 주력이다. 삼성·SK·마이크론이 HBM·고밀도 DDR5로 웨이퍼를 돌리며 DDR4를 줄이자, 그 공급 부족의 수혜로 2025년 매출 NT$665.9억(+95%), 2년 적자에서 흑자 전환. AI 메모리 붐의 간접(레거시 부족) 수혜.

2408.TW 갱신 2026.07.12 5 의존 AI· 4 재방문

밸류체인 그래프 기준 Nanya Technology의 직접 연결 기업은 5곳(관계 기준 공급 5·매출 0)이고, 사슬을 2차까지 넓히면 15곳에 닿는다. 링크의 근거 출처는 10건이며 그중 1차공시가 2건이다 (valuechain.wiki, 2026-07-12 기준).

연도별 수익률 · 2026-09-04'21-8.3%'22-14.2%'23+22.5%'24-56.2%'25+984.7%YTD+52.4%
매출서버·PC·산업 (레거시 DRAM)매출 ~NT$66.6B모듈·소비자 (DRAM)
난야테크2025 매출 NT$66.6B

재무 · 사업부문

  • 총매출 · 2025 매출 NT$66.6B (+95%)
  • 고객 집중도 · 레거시 DRAM 공급부족 수혜. HBM 미생산.
  • 사업부문 · DDR4·LPDDR4 DRAM · DDR5(매출 10%)

매출처

  • 서버·PC·산업 (레거시 DRAM) 신뢰 高· 매출 ~NT$66.6B · 2025 · 2025 매출(+95%)
    서버·PC·산업에 DDR4·LPDDR4 등 레거시 DRAM 공급(공급부족 수혜).
    확인 EN TrendForce 발행 2026.05.21: 난야, DDR4 부족 수혜·DRAM 마진 HBM 상회
    확인 EN 01.co 발행 2026.04.15: Nanya Tech Q1 2026: Legacy DRAM Squeeze Confirmed
    확인 KO 디일렉 발행 2026.01.19: 난야, 2025년 4분기 영업익 118억대만달러…전년比 6배↑
    확인 EN Nanya/TWSE 발행 2026.01.15: Nanya Technology 회사·IR(TWSE 2408)
    확인 EN Taipei Times 발행 2025.12.04: 난야, DRAM 수요 급증에 순익 4배
    확인 EN Nanya Technology IR 발행 2025.10.13: Nanya Technology Q3 2025 Financial Report
  • 모듈·소비자 (DRAM) 신뢰 中
    메모리 모듈·소비자 DRAM 채널 — DDR4 가격 급등의 직접 수혜처.
    확인 KO 글로벌이코노믹 발행 2026.04.05: D램 '50% 급등'…대만 난야 582% 급증
    확인 EN BigGo 발행 2026.01.01: 메모리 가격 급등에 난야·윈본드 매출 급증

지급처

  • 어플라이드 머티어리얼즈 신뢰 中
    DRAM 공정 장비를 어플라이드 등에서 조달.
    확인 EN Taipei Times 발행 2025.12.04: 난야, DRAM 수요 급증에 순익 4배
  • ASML 신뢰 中
    신축 팹에 EUV 리소그래피 전용동 포함(1C/1D 세대) — EUV 단독 공급사 ASML. FY26 capex ~NT$52B.
    확인 EN 01.co 발행 2026.04.15: Nanya Tech Q1 2026: Legacy DRAM Squeeze Confirmed
    확인 EN Evertiq 발행 2022.06.23: Nanya breaks ground on new fab in Taiwan
  • Tokyo Electron (TEL) 신뢰 低
    DRAM 팹 WFE(코터/디벨로퍼·식각·증착) 공급사 — Nanya capex 증설 맥락.
    확인 EN 01.co 발행 2026.04.15: Nanya Tech Q1 2026: Legacy DRAM Squeeze Confirmed
    언급 EN MarketsandMarkets 발행 2026.01.01: 반도체 장비 시장 구조 — ASML·AMAT·Lam·TEL·KLA 5대 벤더가 공정별 공급 과점
  • KLA 신뢰 低
    DRAM 팹 공정제어·계측 장비 공급사 — Nanya capex 증설 맥락.
    확인 EN 01.co 발행 2026.04.15: Nanya Tech Q1 2026: Legacy DRAM Squeeze Confirmed
    언급 EN MarketsandMarkets 발행 2026.01.01: 반도체 장비 시장 구조 — ASML·AMAT·Lam·TEL·KLA 5대 벤더가 공정별 공급 과점
  • 웨이퍼·소재 (비공개) 신뢰 低
    웨이퍼·소재·가스.
    확인 EN Taipei Times 발행 2025.12.04: 난야, DRAM 수요 급증에 순익 4배
  • Lam Research 신뢰 低
    DRAM 신축 팹 WFE(식각·증착) 공급사 — Nanya FY26 capex 증설 수혜로 거론.
    확인 EN 01.co 발행 2026.04.15: Nanya Tech Q1 2026: Legacy DRAM Squeeze Confirmed
    언급 EN MarketsandMarkets 발행 2026.01.01: 반도체 장비 시장 구조 — ASML·AMAT·Lam·TEL·KLA 5대 벤더가 공정별 공급 과점

가치사슬 파급 (2차)

node↔node 연결을 2차까지 따라간 파급. 같은 기업은 가장 가까운 단계에 한 번만 표시.

기업단계'21'22'23'24'25YTD
난야테크본노드-8.3-14.2+22.5-56.2+984.7+52.4
램리서치수혜1+53.7-40.7+88.6-6.8+139.2+80.1
어플라이드 머티어리얼즈수혜1+83.6-37.5+68+1.1+59.6+77.6
ASML수혜1+64.1-30.5+39.9-7.7+55.8+61.1
KLA수혜1+68-11.2+56+9.4+94.5+53.3
도쿄일렉트론수혜1+40.4-14.5+89.8-4.4+61.6+30.3
이코르수혜2+52.7-41.7+25.4-4.2-42.8+205.9
MKS 인스트루먼츠수혜2+16.4-51+22.6+2.2+54.4+63.3
어드밴스드에너지수혜2-5.7-5.4+27.5+6.6+81.6+34.3
SMC Corporation수혜2+0.9+4.5+28.6-28+4.2+12.5
파커 하니핀수혜2+18.3-6.9+60.8+39.6+39.5+10.2
티씨케이수혜2-10.1-16.9+2.8-28.7+225.7+5.9
원익QnC수혜2+26.2+2+11.9-33.7+53.4-9.6
하나머티리얼즈수혜2+106-30.5+26.1-47.4+173.9-25.4

YTD 기준일 2026-09-04 · 출처 Yahoo Finance

TWSE·레거시 DRAM·DDR4 공급부족 수혜 기업. 2026년 +52.4%로 강하게 올랐다. 본주(+52.4%)와 공급단(평균 +68%)이 같은 보폭으로 움직인다. 연결 노드 중 가장 앞선 곳은 램리서치(+80.1%), 가장 처진 곳은 KLA(+53.3%)다. 격차가 사슬 논리로 설명되면 후자가 다음 전파 후보이고, 설명되지 않으면 그 연결 자체를 다시 봐야 한다. 레거시 DRAM 공급부족 수혜. HBM 미생산.

2026-09-04 수익률 기준 생성

증권사 투자의견

컨센서스: 매수 2 · 중립 0 · 매도 0 · 평균 목표가 NT$394 · 현재가 NT$496 (09-04) · 여력 -21%

증권사투자의견목표주가발행
모건스탠리OutperformNT$3802026.05.28리포트
군이증권看多NT$4072026.05.25리포트

국제 대형사의 DDR4 시장 철수로 남아科의 가격 결정력이 커지고 기업 고객과 장기계약(LTA)을 맺은 점을 근거로 중립→우량(Outperform)으로 상향, 목표가 380元.

이 노드를 다룬 분석


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